项目概况：
武汉国家存储器基地位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城未来三路，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑。项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目。武汉国家存储器基地为中国打破主流存储器领域空白，实现产业和经济跨越发展提供重要支撑，是国家重点支持的集成电路四大产业聚区之一，努力打造世界级的集成电路产业创新中心。我司再次签约国家存储基地热水工程，确保全年基地热水需求。
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